1 MOSFET onsemi Singolo, canale Tipo P, Tipo P, 1.4 Ω, 3.4 A 200 V, TO-220F, Foro passante, Foro passante Miglioramento,

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Codice RS:
145-4635
Codice costruttore:
FQPF5P20
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo di canale

Tipo P, Tipo P

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

3.4A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

200V

Tipo di package

TO-220F

Serie

QFET

Tipo montaggio

Foro passante, Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

1.4Ω

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

10nC

Dissipazione di potenza massima Pd

38W

Tensione diretta Vf

5V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

30V

Configurazione transistor

Singolo

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

4.9mm

Altezza

16.07mm

Lunghezza

10.36mm

Numero elementi per chip

1

Standard automobilistico

No

MOSFET a canale P QFET®, Fairchild Semiconductor


I nuovi MOSFET planari QFET® di Fairchild Semiconductor adottano un'avanzata tecnologia brevettata al fine di offrire le migliori prestazioni operative della categoria per un'ampia gamma di applicazioni, tra cui alimentatori, correzione del fattore di potenza (PFC), convertitori c.c.-c.c., display al plasma (PDP), resistenze di illuminazione, e controllo del movimento.

Garantiscono ridotte perdite allo stato attivo grazie a una minore resistenza (RDS(on)) e ridotte perdite di commutazione grazie a una minore carica di gate (Qg) e capacità di uscita (Coss). L'avanzata tecnologia di processo QFET® consente a Fairchild di offrire un migliore fattore di merito (FOM) rispetto ai dispositivi MOSFET planari della concorrenza.

Transistor MOSFET, ON Semi


Su Semi offre una gamma sostanziale di dispositivi MOSFET che includono>< i tipi ad alta tensione ( 250V) e a bassa tensione ( 250V). L'avanzata tecnologia al silicio garantisce uno stampo dalle dimensioni ridotte, incorporato in diversi contenitori di standard industriale e termicamente potenziati.

Sui semi-MOSFET è possibile ottenere un'affidabilità di progettazione superiore, da picchi di tensione ridotti e sovraelongazione, a una capacità di giunzione inferiore e una carica di recupero inversa, fino all'eliminazione di componenti esterni aggiuntivi per mantenere i sistemi operativi più a lungo.

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