MOSFET Infineon, canale Tipo N 100 V, 15.4 mΩ Miglioramento, 45 A, 3 Pin, TO-220, Foro passante
- Codice RS:
- 145-8705
- Codice costruttore:
- IPA086N10N3GXKSA1
- Costruttore:
- Infineon
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Unità | Per unità | Per Tubo* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 0,929 € | 46,45 € |
| 100 - 200 | 0,781 € | 39,05 € |
| 250 - 450 | 0,734 € | 36,70 € |
| 500 - 950 | 0,678 € | 33,90 € |
| 1000 + | 0,632 € | 31,60 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 145-8705
- Codice costruttore:
- IPA086N10N3GXKSA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 45A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 100V | |
| Tipo di package | TO-220 | |
| Serie | OptiMOS 3 | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 15.4mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 42nC | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 37.5W | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20 V | |
| Tensione diretta Vf | 1.2V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Altezza | 16.15mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Larghezza | 4.85 mm | |
| Lunghezza | 10.65mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 45A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 100V | ||
Tipo di package TO-220 | ||
Serie OptiMOS 3 | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 15.4mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 42nC | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 37.5W | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20 V | ||
Tensione diretta Vf 1.2V | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Altezza 16.15mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Larghezza 4.85 mm | ||
Lunghezza 10.65mm | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- CN
MOSFET Infineon OptiMOS™ serie 3, corrente di drenaggio continua massima di 45 A, dissipazione di potenza massima di 37,5 W - IPA086N10N3GXKSA1
Questo MOSFET è stato progettato per applicazioni ad alte prestazioni nei settori dell'automazione, dell'elettronica e dell'elettrotecnica. Come transistor di potenza, migliora la gestione dell'energia fornendo un'eccellente efficienza e affidabilità. Il suo design resistente supporta la commutazione ad alta frequenza, rendendolo adatto agli ambienti in cui sono essenziali prestazioni elevate.
Caratteristiche e vantaggi
• La configurazione a canale N ottimizza la gestione della corrente
• La bassa resistenza di accensione migliora l'efficienza complessiva del sistema
• Funziona a temperature fino a +175°C per applicazioni adattabili
• Il pacchetto completamente isolato migliora la sicurezza durante il funzionamento
• Conforme agli standard RoHS e privo di alogeni per un utilizzo ecocompatibile
Applicazioni
• Ideale per la commutazione ad alta frequenza nei dispositivi elettronici
• Impiegato nel raddrizzamento sincrono per massimizzare l'efficienza
• Adatto per che richiedono un'elevata gestione della corrente
• Efficace in ambienti sensibili alla temperatura grazie alle robuste prestazioni termiche
Qual è il significato della bassa resistenza di accensione in questo dispositivo?
La bassa resistenza di accensione riduce le perdite di potenza durante il funzionamento, migliorando l'efficienza dei circuiti di gestione dell'alimentazione. Ciò si traduce in una minore generazione di calore e in un miglioramento delle prestazioni complessive.
Questo MOSFET può essere utilizzato in applicazioni automobilistiche?
Sì, è appropriato per le applicazioni automobilistiche in quanto soddisfa i requisiti di prestazioni ad alta temperatura e garantisce un funzionamento affidabile in condizioni di carico variabili.
In che modo la tensione di soglia del gate influenza il funzionamento del circuito?
La tensione di soglia del gate determina il momento in cui il MOSFET inizia a condurre. In questo caso, varia da 2 V a 3,5 V, garantendo che l'attivazione avvenga solo in presenza di livelli di tensione adeguati, proteggendo così altri componenti.
Quali sono i tipi di circuiti più compatibili con questo transistor di potenza?
Questo transistor di potenza è compatibile con i circuiti di commutazione ad alta frequenza e con le applicazioni di raddrizzamento sincrono, offrendo versatilità per diversi progetti elettronici.
Come deve essere montato il MOSFET per ottenere prestazioni ottimali?
Il MOSFET deve essere montato con il metodo del foro passante per garantire connessioni sicure e un'efficace dissipazione del calore in base alle specifiche di resistenza termica.