MOSFET Infineon, canale Tipo N 100 V, 15.4 mΩ Miglioramento, 45 A, 3 Pin, TO-220, Foro passante IPA086N10N3GXKSA1

Codice RS:: 892-2125
Codice costruttore:: IPA086N10N3GXKSA1
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale Tipo N 100 V, 15.4 mΩ Miglioramento, 45 A, 3 Pin, TO-220, Foro passante IPA086N10N3GXKSA1

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Codice RS:: 892-2125
Codice costruttore:: IPA086N10N3GXKSA1
Costruttore:: Infineon

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	Infineon
	Tipo prodotto	MOSFET
	Tipo di canale	Tipo N
	Massima corrente di scarico continua Id	45A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	100V
	Serie	OptiMOS 3
	Tipo di package	TO-220
	Tipo montaggio	Foro passante
	Numero pin	3
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	15.4mΩ
	Modalità canale	Miglioramento
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs	20 V
	Dissipazione di potenza massima Pd	37.5W
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	42nC
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Tensione diretta Vf	1.2V
	Temperatura massima di funzionamento	175°C
	Standard/Approvazioni	No
	Lunghezza	10.65mm
	Altezza	16.15mm
	Larghezza	4.85 mm
	Standard automobilistico	No

	Seleziona tutto
	Marchio Infineon
	Tipo prodotto MOSFET
	Tipo di canale Tipo N
	Massima corrente di scarico continua Id 45A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 100V
	Serie OptiMOS 3
	Tipo di package TO-220
	Tipo montaggio Foro passante
	Numero pin 3
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 15.4mΩ
	Modalità canale Miglioramento
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20 V
	Dissipazione di potenza massima Pd 37.5W
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 42nC
	Minima temperatura operativa -55°C
	Tensione diretta Vf 1.2V
	Temperatura massima di funzionamento 175°C
	Standard/Approvazioni No
	Lunghezza 10.65mm
	Altezza 16.15mm
	Larghezza 4.85 mm
	Standard automobilistico No

MOSFET Infineon OptiMOS™ serie 3, corrente di drenaggio continua massima di 45 A, dissipazione di potenza massima di 37,5 W - IPA086N10N3GXKSA1

Questo MOSFET è stato progettato per applicazioni ad alte prestazioni nei settori dell'automazione, dell'elettronica e dell'elettrotecnica. Come transistor di potenza, migliora la gestione dell'energia fornendo un'eccellente efficienza e affidabilità. Il suo design resistente supporta la commutazione ad alta frequenza, rendendolo adatto agli ambienti in cui sono essenziali prestazioni elevate.

Caratteristiche e vantaggi

• La configurazione a canale N ottimizza la gestione della corrente

• La bassa resistenza di accensione migliora l'efficienza complessiva del sistema

• Funziona a temperature fino a +175°C per applicazioni adattabili

• Il pacchetto completamente isolato migliora la sicurezza durante il funzionamento

• Conforme agli standard RoHS e privo di alogeni per un utilizzo ecocompatibile

Applicazioni

• Ideale per la commutazione ad alta frequenza nei dispositivi elettronici

• Impiegato nel raddrizzamento sincrono per massimizzare l'efficienza

• Adatto per che richiedono un'elevata gestione della corrente

• Efficace in ambienti sensibili alla temperatura grazie alle robuste prestazioni termiche

Qual è il significato della bassa resistenza di accensione in questo dispositivo?

La bassa resistenza di accensione riduce le perdite di potenza durante il funzionamento, migliorando l'efficienza dei circuiti di gestione dell'alimentazione. Ciò si traduce in una minore generazione di calore e in un miglioramento delle prestazioni complessive.

Questo MOSFET può essere utilizzato in applicazioni automobilistiche?

Sì, è appropriato per le applicazioni automobilistiche in quanto soddisfa i requisiti di prestazioni ad alta temperatura e garantisce un funzionamento affidabile in condizioni di carico variabili.

In che modo la tensione di soglia del gate influenza il funzionamento del circuito?

La tensione di soglia del gate determina il momento in cui il MOSFET inizia a condurre. In questo caso, varia da 2 V a 3,5 V, garantendo che l'attivazione avvenga solo in presenza di livelli di tensione adeguati, proteggendo così altri componenti.

Quali sono i tipi di circuiti più compatibili con questo transistor di potenza?

Questo transistor di potenza è compatibile con i circuiti di commutazione ad alta frequenza e con le applicazioni di raddrizzamento sincrono, offrendo versatilità per diversi progetti elettronici.

Come deve essere montato il MOSFET per ottenere prestazioni ottimali?

Il MOSFET deve essere montato con il metodo del foro passante per garantire connessioni sicure e un'efficace dissipazione del calore in base alle specifiche di resistenza termica.