MOSFET STMicroelectronics, canale N, 900 mΩ, 5 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale
- Codice RS:
- 145-8812
- Codice costruttore:
- STB7ANM60N
- Costruttore:
- STMicroelectronics
Prodotto non a stock - in consegna appena disponibile
Prezzo per Unità (Su Bobina da 1000)
0,505 €
(IVA esclusa)
0,616 €
(IVA inclusa)
Unità | Per unità | Per bobina* |
|---|---|---|
| 1000 + | 0,505 € | 505,00 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 145-8812
- Codice costruttore:
- STB7ANM60N
- Costruttore:
- STMicroelectronics
Documentazione Tecnica
Normative
- Paese di origine:
- CN
Dettagli prodotto
MDmesh™ a canale N, 600 V/650 V, STMicroelectronics
Transistor MOSFET, STMicroelectronics
Specifiche
Attributo | Valore |
|---|---|
| Tipo di canale | N |
| Corrente massima continuativa di drain | 5 A |
| Tensione massima drain source | 600 V |
| Serie | MDmesh |
| Tipo di package | DPAK (TO-252) |
| Tipo di montaggio | Montaggio superficiale |
| Numero pin | 3 |
| Resistenza massima drain source | 900 mΩ |
| Modalità del canale | Enhancement |
| Tensione di soglia gate massima | 4V |
| Tensione di soglia gate minima | 2V |
| Dissipazione di potenza massima | 45 W |
| Configurazione transistor | Singolo |
| Tensione massima gate source | -25 V, +25 V |
| Massima temperatura operativa | +150 °C |
| Larghezza | 6.2mm |
| Materiale del transistor | Si |
| Lunghezza | 6.6mm |
| Carica gate tipica @ Vgs | 14 nC a 10 V |
| Numero di elementi per chip | 1 |
| Altezza | 2.4mm |
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