MOSFET STMicroelectronics, canale N, 3,6 Ω, 2,4 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale

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Codice RS:
168-6683
Codice costruttore:
STD3NK60ZT4
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Tipo di canale

N

Corrente massima continuativa di drain

2,4 A

Tensione massima drain source

600 V

Tipo di package

DPAK (TO-252)

Serie

MDmesh, SuperMESH

Tipo di montaggio

Montaggio superficiale

Numero pin

3

Resistenza massima drain source

3,6 Ω

Modalità del canale

Enhancement

Tensione di soglia gate massima

4.5V

Tensione di soglia gate minima

3V

Dissipazione di potenza massima

45 W

Configurazione transistor

Singolo

Tensione massima gate source

-30 V, +30 V

Lunghezza

6.6mm

Materiale del transistor

Si

Massima temperatura operativa

+150 °C

Larghezza

6.2mm

Numero di elementi per chip

1

Carica gate tipica @ Vgs

11,8 nC a 10 V

Altezza

2.4mm

Minima temperatura operativa

-55 °C

Paese di origine:
MY

MDmesh™ a canale N SuperMESH™, da 250 V a 650 V, STMicroelectronics



Transistor MOSFET, STMicroelectronics

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