MOSFET STMicroelectronics, canale N, 2 Ω, 4 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale

Marchio

STMicroelectronics

Tipo di canale

N

Corrente massima continuativa di drain

4 A

Tensione massima drain source

600 V

Serie

MDmesh, SuperMESH

Tipo di package

DPAK (TO-252)

Tipo di montaggio

Montaggio superficiale

Numero pin

3

Resistenza massima drain source

2 Ω

Modalità del canale

Enhancement

Tensione di soglia gate massima

4.5V

Tensione di soglia gate minima

3V

Dissipazione di potenza massima

70 W

Configurazione transistor

Singolo

Tensione massima gate source

-30 V, +30 V

Larghezza

6.2mm

Numero di elementi per chip

1

Carica gate tipica @ Vgs

18,8 nC a 10 V

Materiale del transistor

Si

Massima temperatura operativa

+150 °C

Lunghezza

6.6mm

Minima temperatura operativa

-55 °C

Altezza

2.4mm