MOSFET STMicroelectronics, canale N, 7 mΩ, 80 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale

Codice RS:: 760-9957
Codice costruttore:: STD95N2LH5
Costruttore:: STMicroelectronics

MOSFET STMicroelectronics, canale N, 7 mΩ, 80 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale

Prodotto non a stock - in consegna appena disponibile

Prezzo per 1pz in confezione da 5

1,404 €

(IVA esclusa)

1,713 €

(IVA inclusa)

Unità	Per unità	Per confezione*
5 - 20	1,404 €	7,02 €
25 - 45	1,334 €	6,67 €
50 - 120	1,198 €	5,99 €
125 - 245	1,082 €	5,41 €
250 +	1,028 €	5,14 €

*prezzo indicativo

Codice RS:: 760-9957
Codice costruttore:: STD95N2LH5
Costruttore:: STMicroelectronics

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

STripFET™ II a canale V, STMicroelectronics

I MOSFET STripFET™ con gamma di tensione di scarica distruttiva offrono una carica di gate ultra-bassa e bassa resistenza all'accensione.

Transistor MOSFET, STMicroelectronics

Specifiche

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	80 A
Tensione massima drain source	25 V
Tipo di package	DPAK (TO-252)
Serie	STripFET V
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	7 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate minima	1V
Dissipazione di potenza massima	70 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-25 V, +25 V
Carica gate tipica @ Vgs	13,4 nC a 5 V
Massima temperatura operativa	+175 °C
Larghezza	6.2mm
Lunghezza	6.6mm
Materiale del transistor	Si
Numero di elementi per chip	1
Minima temperatura operativa	-55 °C
Altezza	2.4mm