MOSFET STMicroelectronics, canale N, 7 mΩ, 80 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale

Marchio

STMicroelectronics

Tipo di canale

N

Corrente massima continuativa di drain

80 A

Tensione massima drain source

25 V

Serie

STripFET V

Tipo di package

DPAK (TO-252)

Tipo di montaggio

Montaggio superficiale

Numero pin

3

Resistenza massima drain source

7 mΩ

Modalità del canale

Enhancement

Tensione di soglia gate minima

1V

Dissipazione di potenza massima

70 W

Configurazione transistor

Singolo

Tensione massima gate source

-25 V, +25 V

Larghezza

6.2mm

Materiale del transistor

Si

Numero di elementi per chip

1

Lunghezza

6.6mm

Massima temperatura operativa

+175 °C

Carica gate tipica @ Vgs

13,4 nC a 5 V

Altezza

2.4mm

Minima temperatura operativa

-55 °C