MOSFET STMicroelectronics, canale Tipo N 40 V, 6 mΩ Miglioramento, 80 A, 3 Pin, TO-252, Superficie STD80N4F6

Sconto per quantità disponibile

Prezzo per 1 confezione da 10 unità*

10,02 €

(IVA esclusa)

12,22 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Informazioni sulle scorte attualmente non disponibili
Unità
Per unità
Per confezione*
10 - 401,002 €10,02 €
50 - 900,952 €9,52 €
100 - 2400,865 €8,65 €
250 - 4900,842 €8,42 €
500 +0,822 €8,22 €

*prezzo indicativo

Opzioni di confezione:
Codice RS:
791-9308
Codice costruttore:
STD80N4F6
Costruttore:
STMicroelectronics
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

STMicroelectronics

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

80A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

40V

Serie

DeepGate, STripFET

Tipo di package

TO-252

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

6mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

36nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

70W

Tensione diretta Vf

1.3V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Lunghezza

6.6mm

Altezza

2.4mm

Larghezza

6.2 mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

AEC-Q101

STripFET™ DeepGate™ canale N, STMicroelectronics


I MOSFET STripFET™ con gamma di tensione di scarica distruttiva offrono una carica di gate ultra-bassa e bassa resistenza all'accensione.

Transistor MOSFET, STMicroelectronics


Link consigliati