MOSFET STMicroelectronics, canale N, 6 mΩ, 80 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale

Codice RS:: 791-9308
Codice costruttore:: STD80N4F6
Costruttore:: STMicroelectronics

MOSFET STMicroelectronics, canale N, 6 mΩ, 80 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale

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Prezzo per 1pz in confezione da 10

0,891 €

(IVA esclusa)

1,087 €

(IVA inclusa)

Unità	Per unità	Per confezione*
10 - 40	0,891 €	8,91 €
50 - 90	0,846 €	8,46 €
100 - 240	0,769 €	7,69 €
250 - 490	0,749 €	7,49 €
500 +	0,731 €	7,31 €

*prezzo indicativo

Codice RS:: 791-9308
Codice costruttore:: STD80N4F6
Costruttore:: STMicroelectronics

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

STripFET™ DeepGate™ canale N, STMicroelectronics

I MOSFET STripFET™ con gamma di tensione di scarica distruttiva offrono una carica di gate ultra-bassa e bassa resistenza all'accensione.

Transistor MOSFET, STMicroelectronics

Specifiche

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	80 A
Tensione massima drain source	40 V
Serie	DeepGate, STripFET
Tipo di package	DPAK (TO-252)
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	6 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	4V
Tensione di soglia gate minima	2V
Dissipazione di potenza massima	70 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Numero di elementi per chip	1
Massima temperatura operativa	+175 °C
Lunghezza	6.6mm
Carica gate tipica @ Vgs	36 nC a 10 V
Materiale del transistor	Si
Larghezza	6.2mm
Altezza	2.4mm
Minima temperatura operativa	-55 °C