MOSFET STMicroelectronics, canale N 40 V, 6 mΩ Miglioramento, 80 A, 3 Pin, TO-252, Superficie

Visualizza MOSFET

Prezzo per 2500 unità, in una bobina da 2500*

1962,50 €

(IVA esclusa)

2395,00 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Temporaneamente esaurito
  • Spedizione a partire dal 27 gennaio 2027
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per bobina*
2500 +0,785 €1.962,50 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
165-6582
Codice costruttore:
STD80N4F6
Costruttore:
STMicroelectronics
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

STMicroelectronics

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

80A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

40V

Tipo di package

TO-252

Serie

DeepGate, STripFET

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

6mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

70W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

36nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

-20V, +20V

Tensione diretta Vf

1.3V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Lunghezza

6.6mm

Altezza

2.4mm

Larghezza

6.2mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

AEC-Q101

Paese di origine:
CN

STripFET™ DeepGate™ canale N, STMicroelectronics


I MOSFET STripFET™ con gamma di tensione di scarica distruttiva offrono una carica di gate ultra-bassa e bassa resistenza all'accensione.

Transistor MOSFET, STMicroelectronics


Link consigliati

Rimani aggiornato sulle novità di prodotto e sulle nostre offerte!

Indirizzo email

I dati personali forniti saranno trattati in linea con la nostra Politica sulla Privacy.