MOSFET STMicroelectronics, canale Tipo N 40 V, 6 mΩ Miglioramento, 80 A, 3 Pin, TO-252, Superficie

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Codice RS:
165-6582
Codice costruttore:
STD80N4F6
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

80A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

40V

Serie

DeepGate, STripFET

Tipo di package

TO-252

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

6mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

1.3V

Dissipazione di potenza massima Pd

70W

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

36nC

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

No

Altezza

2.4mm

Lunghezza

6.6mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

Paese di origine:
CN

STripFET™ DeepGate™ canale N, STMicroelectronics


I MOSFET STripFET™ con gamma di tensione di scarica distruttiva offrono una carica di gate ultra-bassa e bassa resistenza all'accensione.

Transistor MOSFET, STMicroelectronics


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