MOSFET STMicroelectronics, canale N, 1,2 Ω, 5,6 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale

Marchio

STMicroelectronics

Tipo di canale

N

Corrente massima continuativa di drain

5,6 A

Tensione massima drain source

500 V

Tipo di package

DPAK (TO-252)

Serie

MDmesh, SuperMESH

Tipo di montaggio

Montaggio superficiale

Numero pin

3

Resistenza massima drain source

1,2 Ω

Modalità del canale

Enhancement

Tensione di soglia gate massima

4.5V

Tensione di soglia gate minima

3V

Dissipazione di potenza massima

90 W

Configurazione transistor

Singolo

Tensione massima gate source

-30 V, +30 V

Massima temperatura operativa

+150 °C

Larghezza

6.2mm

Carica gate tipica @ Vgs

24,6 nC a 10 V

Lunghezza

6.6mm

Numero di elementi per chip

1

Materiale del transistor

Si

Minima temperatura operativa

-55 °C

Altezza

2.4mm