MOSFET STMicroelectronics, canale Tipo N 900 V, 4.8 Ω Miglioramento, 3 A, 3 Pin, TO-252, Superficie

Prezzo per 1 bobina da 2500 unità*

1662,50 €

(IVA esclusa)

2027,50 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Temporaneamente esaurito
  • Spedizione a partire dal 27 aprile 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per bobina*
2500 +0,665 €1.662,50 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
920-8868
Codice costruttore:
STD3NK90ZT4
Costruttore:
STMicroelectronics
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

STMicroelectronics

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

3A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

900V

Tipo di package

TO-252

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

4.8Ω

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

30 V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

22.7nC

Tensione diretta Vf

1.6V

Dissipazione di potenza massima Pd

90W

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

6.6mm

Standard/Approvazioni

No

Altezza

2.4mm

Larghezza

6.2 mm

Standard automobilistico

No

MDmesh™ a canale N SuperMESH™, da 700V a 1200V, STMicroelectronics


Transistor MOSFET, STMicroelectronics


Link consigliati