MOSFET STMicroelectronics, canale N, 4,8 Ω, 3 A, TO-220, Su foro

Codice RS:: 485-7636
Codice costruttore:: STP3NK90Z
Costruttore:: STMicroelectronics

MOSFET STMicroelectronics, canale N, 4,8 Ω, 3 A, TO-220, Su foro

25 Entro 1 giorni lavorativi per ordini effettuati entro le 19:00 (magazzini in Europa)

20 Entro 1 giorni lavorativi per ordini effettuati entro le 19:00 (magazzini in Europa)

Prezzo per 1pz in confezione da 5

1,868 €

(IVA esclusa)

2,279 €

(IVA inclusa)

Unità	Per unità	Per confezione*
5 - 5	1,868 €	9,34 €
10 - 95	1,594 €	7,97 €
100 - 495	1,236 €	6,18 €
500 - 995	1,042 €	5,21 €
1000 +	0,874 €	4,37 €

*prezzo indicativo

Codice RS:: 485-7636
Codice costruttore:: STP3NK90Z
Costruttore:: STMicroelectronics

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

MDmesh™ a canale N SuperMESH™, da 700V a 1200V, STMicroelectronics

Transistor MOSFET, STMicroelectronics

Specifiche

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	3 A
Tensione massima drain source	900 V
Serie	MDmesh, SuperMESH
Tipo di package	TO-220
Tipo di montaggio	Su foro
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	4,8 Ω
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	4.5V
Tensione di soglia gate minima	3V
Dissipazione di potenza massima	90 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-30 V, +30 V
Materiale del transistor	Si
Numero di elementi per chip	1
Carica gate tipica @ Vgs	22,7 nC a 10 V
Massima temperatura operativa	+150 °C
Lunghezza	10.4mm
Larghezza	4.6mm
Minima temperatura operativa	-55 °C
Altezza	9.15mm