MOSFET STMicroelectronics, canale N, 900 mΩ, 9 A, TO-220, Su foro

Codice RS:: 920-8856
Codice costruttore:: STP10NK80Z
Costruttore:: STMicroelectronics

MOSFET STMicroelectronics, canale N, 900 mΩ, 9 A, TO-220, Su foro

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Prezzo per Cadauno (in una stecca da 50)**

2,052 €

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2,503 €

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Unità	Per unità	Per Tubo**
50 - 50	2,052 €	102,60 €
100 - 200	1,642 €	82,10 €
250 +	1,477 €	73,85 €

**prezzo indicativo

Codice RS:: 920-8856
Codice costruttore:: STP10NK80Z
Costruttore:: STMicroelectronics

N-channel Zener-Protected Power MOSFET Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	9 A
Tensione massima drain source	800 V
Serie	MDmesh, SuperMESH
Tipo di package	TO-220
Tipo di montaggio	Su foro
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	900 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	4.5V
Tensione di soglia gate minima	3V
Dissipazione di potenza massima	160 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-30 V, +30 V
Lunghezza	10.4mm
Carica gate tipica @ Vgs	72 nC a 10 V
Massima temperatura operativa	+150 °C
Numero di elementi per chip	1
Materiale del transistor	Si
Larghezza	4.6mm
Altezza	9.15mm
Minima temperatura operativa	-55 °C

MOSFET STMicroelectronics, canale N, 900 mΩ, 9 A, TO-220, Su foro

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MDmesh™ a canale N SuperMESH™, da 700V a 1200V, STMicroelectronics

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