MOSFET STMicroelectronics, canale Tipo N 800 V, 900 mΩ Miglioramento, 6 A, 3 Pin, TO-220, Foro passante STP80N900K6

Visualizza MOSFET
Sconto per quantità disponibile

Prezzo per 1 unità*

1,02 €

(IVA esclusa)

1,24 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
In magazzino
  • Più 72 unità in spedizione dal 05 gennaio 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
1 - 41,02 €
5 - 91,00 €
10 - 240,97 €
25 +0,95 €

*prezzo indicativo

Opzioni di confezione:
Codice RS:
285-5915
Codice costruttore:
STP80N900K6
Costruttore:
STMicroelectronics
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

STMicroelectronics

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

6A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

800V

Tipo di package

TO-220

Serie

STP

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

900mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

68W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

30 V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

7nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1.5V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Larghezza

10.4 mm

Lunghezza

28.9mm

Altezza

4.6mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN
Il MOSFET di potenza a canale N ad altissima tensione di STMicroelectronics è stato progettato utilizzando l'ultima tecnologia MDmesh K6, basata su 20 anni di esperienza di STMicroelectronics nella tecnologia a supergiunzione. Il risultato è la migliore resistenza all'accensione della categoria per area e carica del gate per le applicazioni che richiedono un'eccellente densità di potenza e un'elevata efficienza.

Miglior RDS(on) al mondo x area

Miglior FOM al mondo (figura di merito)

Carica gate ultra bassa

100% testata a valanga

Con protezione Zener

Link consigliati