MOSFET STMicroelectronics, canale N 800 V, 900 mΩ Miglioramento, 6 A, 3 Pin, TO-220, Foro passante STP80N900K6

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Codice RS:
285-5914
Codice costruttore:
STP80N900K6
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

N

Massima corrente di scarico continua Id

6A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

800V

Tipo di package

TO-220

Serie

STP

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

900mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1.5V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

30V

Dissipazione di potenza massima Pd

68W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

7nC

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

28.9mm

Standard/Approvazioni

RoHS

Larghezza

10.4mm

Altezza

4.6mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN
Il MOSFET di potenza a canale N ad altissima tensione di STMicroelectronics è stato progettato utilizzando l'ultima tecnologia MDmesh K6, basata su 20 anni di esperienza di STMicroelectronics nella tecnologia a supergiunzione. Il risultato è la migliore resistenza all'accensione della categoria per area e carica del gate per le applicazioni che richiedono un'eccellente densità di potenza e un'elevata efficienza.

Miglior RDS(on) al mondo x area

Miglior FOM al mondo (figura di merito)

Carica gate ultra bassa

100% testata a valanga

Con protezione Zener

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