MOSFET STMicroelectronics, canale Tipo N 800 V, 900 mΩ Miglioramento, 6 A, 3 Pin, TO-220, Foro passante STP80N900K6

Visualizza MOSFET

Prezzo per 1 tubo da 50 unità*

48,85 €

(IVA esclusa)

59,60 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
In magazzino
  • Più 50 unità in spedizione dal 05 gennaio 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per Tubo*
50 +0,977 €48,85 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
285-5914
Codice costruttore:
STP80N900K6
Costruttore:
STMicroelectronics
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

STMicroelectronics

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

6A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

800V

Serie

STP

Tipo di package

TO-220

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

900mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

7nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

30 V

Tensione diretta Vf

1.5V

Dissipazione di potenza massima Pd

68W

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

28.9mm

Larghezza

10.4 mm

Altezza

4.6mm

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN
Il MOSFET di potenza a canale N ad altissima tensione di STMicroelectronics è stato progettato utilizzando l'ultima tecnologia MDmesh K6, basata su 20 anni di esperienza di STMicroelectronics nella tecnologia a supergiunzione. Il risultato è la migliore resistenza all'accensione della categoria per area e carica del gate per le applicazioni che richiedono un'eccellente densità di potenza e un'elevata efficienza.

Miglior RDS(on) al mondo x area

Miglior FOM al mondo (figura di merito)

Carica gate ultra bassa

100% testata a valanga

Con protezione Zener

Link consigliati