MOSFET STMicroelectronics, canale N 600 V, 900 mΩ Miglioramento, 5 A, 3 Pin, TO-252, Superficie STD7NM60N

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
760-9935
Codice costruttore:
STD7NM60N
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

N

Massima corrente di scarico continua Id

5A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

600V

Serie

MDmesh

Tipo di package

TO-252

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

900mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

14nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

45W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

-25V, +25V

Tensione diretta Vf

1.2V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

6.2mm

Lunghezza

6.6mm

Altezza

2.4mm

Standard automobilistico

No

MDmesh™ a canale N, 600 V/650 V, STMicroelectronics


Transistor MOSFET, STMicroelectronics


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