MOSFET STMicroelectronics, canale N 600 V, 3.6 Ω Miglioramento, 2.4 A, 3 Pin, TO-252, Superficie STD3NK60ZT4

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Codice RS:
151-417
Codice costruttore:
STD3NK60ZT4
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

N

Massima corrente di scarico continua Id

2.4A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

600V

Tipo di package

TO-252

Serie

SuperMESH

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

3.6Ω

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

30V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

11.8nC

Tensione diretta Vf

1.6V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Larghezza

6.6mm

Standard/Approvazioni

RoHS

Lunghezza

10.1mm

Altezza

2.4mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN
Il MOSFET di potenza STMicroelectronics è stato sviluppato utilizzando la tecnologia Super MESH, un'ottimizzazione del consolidato Power MESH. Oltre a una significativa riduzione della resistenza, questi dispositivi sono progettati per garantire un elevato livello di capacità dv/dt per le applicazioni più impegnative.

Prodotto testato al 100% contro le scariche disruptive a valanga

Carica gate ridotta al minimo

Capacità intrinseca molto bassa

Protezione Zener

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