MOSFET Infineon, canale N, 440 mΩ, 20 A, TO-220 FP, Su foro

Codice RS:: 145-9170
Codice costruttore:: IPA60R190E6XKSA1
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale N, 440 mΩ, 20 A, TO-220 FP, Su foro

Prodotto discontinuato

Codice RS:: 145-9170
Codice costruttore:: IPA60R190E6XKSA1
Costruttore:: Infineon

IPx60R190E6 600V CoolMOS E6 Power Transistor
ESD Control Selection Guide V1

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Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	20 A
Tensione massima drain source	650 V
Tipo di package	TO-220 FP
Serie	CoolMOS E6
Tipo di montaggio	Su foro
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	440 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	3.5V
Tensione di soglia gate minima	2.5V
Dissipazione di potenza massima	34 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Carica gate tipica @ Vgs	63 nC a 10 V
Lunghezza	10.65mm
Materiale del transistor	Si
Massima temperatura operativa	+150 °C
Larghezza	4.9mm
Numero di elementi per chip	1
Minima temperatura operativa	-55 °C
Altezza	16.15mm
Tensione diretta del diodo	0.9V

MOSFET Infineon, canale N, 440 mΩ, 20 A, TO-220 FP, Su foro

MOSFET di potenza Infineon serie CoolMOS™E6/P6

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