MOSFET IXYS, canale N, 300 mΩ, 12 A, TO-247, Su foro
- Codice RS:
- 146-1786
- Codice costruttore:
- IXTH12N65X2
- Costruttore:
- IXYS
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- Codice RS:
- 146-1786
- Codice costruttore:
- IXTH12N65X2
- Costruttore:
- IXYS
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | IXYS | |
| Tipo di canale | N | |
| Corrente massima continuativa di drain | 12 A | |
| Tensione massima drain source | 650 V | |
| Serie | X2-Class | |
| Tipo di package | TO-247 | |
| Tipo di montaggio | Su foro | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima drain source | 300 mΩ | |
| Modalità del canale | Enhancement | |
| Tensione di soglia gate massima | 4.5V | |
| Tensione di soglia gate minima | 2.5V | |
| Dissipazione di potenza massima | 180 W | |
| Configurazione transistor | Singolo | |
| Tensione massima gate source | -30 V, +30 V | |
| Numero di elementi per chip | 1 | |
| Massima temperatura operativa | +150 °C | |
| Lunghezza | 16.24mm | |
| Materiale del transistor | Si | |
| Carica gate tipica @ Vgs | 17,7 nC a 10 V | |
| Larghezza | 21.45mm | |
| Minima temperatura operativa | -55 °C | |
| Tensione diretta del diodo | 1.4V | |
| Altezza | 5.3mm | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio IXYS | ||
Tipo di canale N | ||
Corrente massima continuativa di drain 12 A | ||
Tensione massima drain source 650 V | ||
Serie X2-Class | ||
Tipo di package TO-247 | ||
Tipo di montaggio Su foro | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima drain source 300 mΩ | ||
Modalità del canale Enhancement | ||
Tensione di soglia gate massima 4.5V | ||
Tensione di soglia gate minima 2.5V | ||
Dissipazione di potenza massima 180 W | ||
Configurazione transistor Singolo | ||
Tensione massima gate source -30 V, +30 V | ||
Numero di elementi per chip 1 | ||
Massima temperatura operativa +150 °C | ||
Lunghezza 16.24mm | ||
Materiale del transistor Si | ||
Carica gate tipica @ Vgs 17,7 nC a 10 V | ||
Larghezza 21.45mm | ||
Minima temperatura operativa -55 °C | ||
Tensione diretta del diodo 1.4V | ||
Altezza 5.3mm | ||
- Paese di origine:
- US
MOSFET di potenza a canale N, serie IXYS X2-Class
La serie di MOSFET di potenza classe X2 IXYS offre una carica significativamente ridotta su resistenza e di gate rispetto alle precedenti generazioni di MOSFET di potenza, per minori perdite e una maggiore efficienza operativa. Questi robusti dispositivi incorporano un diodo intrinseco e sono adatti per le applicazioni sia con modalità di commutazione hard che di risonanza. I MOSFET di potenza di classe X2 sono disponibili in una varietà di contenitori standard industriali, inclusi i tipi isolati con valori nominali fino a 120 A a 650 V. Le applicazioni tipiche includono: convertitori c.c./c.c., azionamenti per motori c.a e c.c., alimentatori switching e con modalità di risonanza, chopper c.c., inverter solari, controllo della temperatura e dell'illuminazione.
RDS(on) e QG (carica gate) molto ridotti
Diodo raddrizzatore intrinseco
Bassa resistenza di gate intrinseca
Contenitore a bassa induttanza
Contenitori conformi allo standard industriale
Diodo raddrizzatore intrinseco
Bassa resistenza di gate intrinseca
Contenitore a bassa induttanza
Contenitori conformi allo standard industriale
Transistor MOSFET, IXYS
Un'ampia gamma di dispositivi MOSFET di potenza discreti avanzata fornita da IXYS