- Codice RS:
- 917-1457
- Codice costruttore:
- IXTH12N65X2
- Costruttore:
- IXYS
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Prezzo per 1pz in confezione da 2
4,94 €
(IVA esclusa)
6,03 €
(IVA inclusa)
Unità | Per unità | Per Pack* |
2 - 8 | 4,94 € | 9,88 € |
10 - 28 | 3,545 € | 7,09 € |
30 - 118 | 3,495 € | 6,99 € |
120 - 238 | 3,435 € | 6,87 € |
240 + | 3,27 € | 6,54 € |
*prezzo indicativo |
- Codice RS:
- 917-1457
- Codice costruttore:
- IXTH12N65X2
- Costruttore:
- IXYS
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
MOSFET di potenza a canale N, serie IXYS X2-Class
La serie di MOSFET di potenza classe X2 IXYS offre una carica significativamente ridotta su resistenza e di gate rispetto alle precedenti generazioni di MOSFET di potenza, per minori perdite e una maggiore efficienza operativa. Questi robusti dispositivi incorporano un diodo intrinseco e sono adatti per le applicazioni sia con modalità di commutazione hard che di risonanza. I MOSFET di potenza di classe X2 sono disponibili in una varietà di contenitori standard industriali, inclusi i tipi isolati con valori nominali fino a 120 A a 650 V. Le applicazioni tipiche includono: convertitori c.c./c.c., azionamenti per motori c.a e c.c., alimentatori switching e con modalità di risonanza, chopper c.c., inverter solari, controllo della temperatura e dell'illuminazione.
RDS(on) e QG (carica gate) molto ridotti
Diodo raddrizzatore intrinseco
Bassa resistenza di gate intrinseca
Contenitore a bassa induttanza
Contenitori conformi allo standard industriale
Diodo raddrizzatore intrinseco
Bassa resistenza di gate intrinseca
Contenitore a bassa induttanza
Contenitori conformi allo standard industriale
Transistor MOSFET, IXYS
Un'ampia gamma di dispositivi MOSFET di potenza discreti avanzata fornita da IXYS
Specifiche
Attributo | Valore |
---|---|
Tipo di canale | N |
Corrente massima continuativa di drain | 12 A |
Tensione massima drain source | 650 V |
Serie | X2-Class |
Tipo di package | TO-247 |
Tipo di montaggio | Su foro |
Numero pin | 3 |
Resistenza massima drain source | 300 mΩ |
Modalità del canale | Enhancement |
Tensione di soglia gate massima | 4.5V |
Tensione di soglia gate minima | 2.5V |
Dissipazione di potenza massima | 180 W |
Configurazione transistor | Singolo |
Tensione massima gate source | -30 V, +30 V |
Larghezza | 21.45mm |
Carica gate tipica @ Vgs | 17,7 nC a 10 V |
Lunghezza | 16.24mm |
Massima temperatura operativa | +150 °C |
Numero di elementi per chip | 1 |
Materiale del transistor | Si |
Tensione diretta del diodo | 1.4V |
Minima temperatura operativa | -55 °C |
Altezza | 5.3mm |
- Codice RS:
- 917-1457
- Codice costruttore:
- IXTH12N65X2
- Costruttore:
- IXYS
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