MOSFET Nexperia, canale Tipo N 60 V, 24.4 mΩ Miglioramento, 61 A, 4 Pin, LFPAK, Superficie

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Codice RS:
151-3397
Codice costruttore:
PSMN011-60MSX
Costruttore:
Nexperia
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Marchio

Nexperia

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

61A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Tipo di package

LFPAK

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

4

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

24.4mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

91W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

23nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Altezza

0.9mm

Larghezza

2.7 mm

Lunghezza

3.4mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

MOSFET a canale N 40 V - 60 V. MOSFET di livello logico e standard in una varietà di contenitori. I MOSFET del nostro ampio portafoglio di dispositivi sono solidi e facili da usare nella gamma da 40 V a 60 V. Sono perfetti per applicazioni con criticità di spazio e alimentazione e forniscono eccellenti prestazioni di commutazione e SOA (safe operating area).

MOSFET a canale N di livello standard da 11,3 mΩ, 60 V, in contenitore LFPAK33. MOSFET a canale N di livello standard in modalità potenziata in contenitore LFPAK33. Questo prodotto è progettato e qualificato per l'uso in un'ampia gamma di apparecchiature industriali, per le comunicazioni e domestiche.

Elevata efficienza grazie alle basse perdite di conduzione e commutazione

Adatto per sorgenti a stadio pilota livello standard

Il contenitore LFPAK33 ha un ingombro compatibile con altri tipi di contenitori da 3,3 mm

Qualificato per l’uso a 175 °C

Convertitori c.a.-c.c.

Rettifica sincrona

Convertitori cc-cc

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