MOSFET Nexperia, canale N, 120 mΩ, 6 A, WLCSP, Montaggio superficiale

MOSFET a canale N ≤ 20 V. Ottieni le soluzioni di commutazione migliori per i tuoi progetti portatili. Scegli da un’ampia varietà di MOSFET singoli e doppi a canale N fino a 20 V. Grande affidabilità grazie al nostro TrenchMOS consolidato e alla tecnologia dei contenitori. I nostri MOSFET a bassa tensione, facili da usare, sono progettati appositamente per soddisfare le esigenze di applicazioni portatili con tensioni di attivazione ridotte.

MOSFET Trench a canale N, 12 V. Transistor a effetto di campo (FET) in modalità potenziata a canale N in un contenitore in formato chip di livello a lamelle con 4 dossi (WLCSP) che impiega la tecnologia MOSFET Trench.

Bassa tensione di soglia
Contenitore dalle dimensioni estremamente ridotte: 0,78 x 0,78 x 0,35 mm
Tecnologia MOSFET Trench
Protezione contro le scariche elettrostatiche (ESD): > 2 kV HBM
Driver relè
Driver di linea ad alta velocità
Interruttore di carico low-side
Circuiti di commutazione