MOSFET Nexperia, canale Tipo N 12 V, 120 mΩ Miglioramento, 6 A, 4 Pin, WLCSP, Superficie

Codice RS:: 153-2851
Codice costruttore:: PMCM4401VNEAZ
Costruttore:: Nexperia

MOSFET Nexperia, canale Tipo N 12 V, 120 mΩ Miglioramento, 6 A, 4 Pin, WLCSP, Superficie

Prezzo per 1 bobina da 9000 unità*

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Codice RS:: 153-2851
Codice costruttore:: PMCM4401VNEAZ
Costruttore:: Nexperia

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	Nexperia
	Tipo prodotto	MOSFET
	Tipo di canale	Tipo N
	Massima corrente di scarico continua Id	6A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	12V
	Tipo di package	WLCSP
	Serie	PMCM4401VNE
	Tipo montaggio	Superficie
	Numero pin	4
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	120mΩ
	Modalità canale	Miglioramento
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs	8V
	Dissipazione di potenza massima Pd	12.5W
	Tensione diretta Vf	1.2V
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	6nC
	Temperatura massima di funzionamento	150°C
	Altezza	0.16mm
	Larghezza	0.81mm
	Lunghezza	0.81mm
	Standard/Approvazioni	No
	Standard automobilistico	No

	Seleziona tutto
	Marchio Nexperia
	Tipo prodotto MOSFET
	Tipo di canale Tipo N
	Massima corrente di scarico continua Id 6A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 12V
	Tipo di package WLCSP
	Serie PMCM4401VNE
	Tipo montaggio Superficie
	Numero pin 4
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 120mΩ
	Modalità canale Miglioramento
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 8V
	Dissipazione di potenza massima Pd 12.5W
	Tensione diretta Vf 1.2V
	Minima temperatura operativa -55°C
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 6nC
	Temperatura massima di funzionamento 150°C
	Altezza 0.16mm
	Larghezza 0.81mm
	Lunghezza 0.81mm
	Standard/Approvazioni No
	Standard automobilistico No

MOSFET a canale N ≤ 20 V. Ottieni le soluzioni di commutazione migliori per i tuoi progetti portatili. Scegli da un’ampia varietà di MOSFET singoli e doppi a canale N fino a 20 V. Grande affidabilità grazie al nostro TrenchMOS consolidato e alla tecnologia dei contenitori. I nostri MOSFET a bassa tensione, facili da usare, sono progettati appositamente per soddisfare le esigenze di applicazioni portatili con tensioni di attivazione ridotte.

MOSFET Trench a canale N, 12 V. Transistor a effetto di campo (FET) in modalità potenziata a canale N in un contenitore in formato chip di livello a lamelle con 4 dossi (WLCSP) che impiega la tecnologia MOSFET Trench.

Bassa tensione di soglia

Contenitore dalle dimensioni estremamente ridotte: 0,78 x 0,78 x 0,35 mm

Tecnologia MOSFET Trench

Protezione contro le scariche elettrostatiche (ESD): > 2 kV HBM

Driver relè

Driver di linea ad alta velocità

Interruttore di carico low-side

Circuiti di commutazione

MOSFET Nexperia, canale Tipo N 12 V, 120 mΩ Miglioramento, 6 A, 4 Pin, WLCSP, Superficie

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