MOSFET Nexperia, canale N 12 V, 120 mΩ Miglioramento, 6 A, 4 Pin, WLCSP, Superficie

Codice RS:: 153-2851
Codice costruttore:: PMCM4401VNEAZ
Costruttore:: Nexperia

MOSFET Nexperia, canale N 12 V, 120 mΩ Miglioramento, 6 A, 4 Pin, WLCSP, Superficie

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Codice RS:: 153-2851
Codice costruttore:: PMCM4401VNEAZ
Costruttore:: Nexperia

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Dettagli prodotto

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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	Nexperia
	Tipo prodotto	MOSFET
	Tipo di canale	N
	Massima corrente di scarico continua Id	6A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	12V
	Serie	PMCM4401VNE
	Tipo di package	WLCSP
	Tipo montaggio	Superficie
	Numero pin	4
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	120mΩ
	Modalità canale	Miglioramento
	Dissipazione di potenza massima Pd	12.5W
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	6nC
	Tensione diretta Vf	1.2V
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs	8V
	Temperatura massima di funzionamento	150°C
	Lunghezza	810μm
	Standard/Approvazioni	No
	Larghezza	810μm
	Altezza	160μm
	Standard automobilistico	No

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	Marchio Nexperia
	Tipo prodotto MOSFET
	Tipo di canale N
	Massima corrente di scarico continua Id 6A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 12V
	Serie PMCM4401VNE
	Tipo di package WLCSP
	Tipo montaggio Superficie
	Numero pin 4
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 120mΩ
	Modalità canale Miglioramento
	Dissipazione di potenza massima Pd 12.5W
	Minima temperatura operativa -55°C
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 6nC
	Tensione diretta Vf 1.2V
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 8V
	Temperatura massima di funzionamento 150°C
	Lunghezza 810μm
	Standard/Approvazioni No
	Larghezza 810μm
	Altezza 160μm
	Standard automobilistico No

MOSFET a canale N ≤ 20 V. Ottieni le soluzioni di commutazione migliori per i tuoi progetti portatili. Scegli da un’ampia varietà di MOSFET singoli e doppi a canale N fino a 20 V. Grande affidabilità grazie al nostro TrenchMOS consolidato e alla tecnologia dei contenitori. I nostri MOSFET a bassa tensione, facili da usare, sono progettati appositamente per soddisfare le esigenze di applicazioni portatili con tensioni di attivazione ridotte.

MOSFET Trench a canale N, 12 V. Transistor a effetto di campo (FET) in modalità potenziata a canale N in un contenitore in formato chip di livello a lamelle con 4 dossi (WLCSP) che impiega la tecnologia MOSFET Trench.

Bassa tensione di soglia

Contenitore dalle dimensioni estremamente ridotte: 0,78 x 0,78 x 0,35 mm

Tecnologia MOSFET Trench

Protezione contro le scariche elettrostatiche (ESD): > 2 kV HBM

Driver relè

Driver di linea ad alta velocità

Interruttore di carico low-side

Circuiti di commutazione

MOSFET Nexperia, canale N 12 V, 120 mΩ Miglioramento, 6 A, 4 Pin, WLCSP, Superficie

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