MOSFET Nexperia, canale Tipo N 12 V, 120 mΩ Miglioramento, 6 A, 4 Pin, WLCSP, Superficie

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Codice RS:
153-2851
Codice costruttore:
PMCM4401VNEAZ
Costruttore:
Nexperia
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Marchio

Nexperia

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

6A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

12V

Tipo di package

WLCSP

Serie

PMCM4401VNE

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

4

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

120mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

6nC

Dissipazione di potenza massima Pd

12.5W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

8 V

Tensione diretta Vf

1.2V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

0.81 mm

Lunghezza

0.81mm

Altezza

0.16mm

Standard automobilistico

No

MOSFET a canale N ≤ 20 V. Ottieni le soluzioni di commutazione migliori per i tuoi progetti portatili. Scegli da un’ampia varietà di MOSFET singoli e doppi a canale N fino a 20 V. Grande affidabilità grazie al nostro TrenchMOS consolidato e alla tecnologia dei contenitori. I nostri MOSFET a bassa tensione, facili da usare, sono progettati appositamente per soddisfare le esigenze di applicazioni portatili con tensioni di attivazione ridotte.

MOSFET Trench a canale N, 12 V. Transistor a effetto di campo (FET) in modalità potenziata a canale N in un contenitore in formato chip di livello a lamelle con 4 dossi (WLCSP) che impiega la tecnologia MOSFET Trench.

Bassa tensione di soglia

Contenitore dalle dimensioni estremamente ridotte: 0,78 x 0,78 x 0,35 mm

Tecnologia MOSFET Trench

Protezione contro le scariche elettrostatiche (ESD): > 2 kV HBM

Driver relè

Driver di linea ad alta velocità

Interruttore di carico low-side

Circuiti di commutazione

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