MOSFET Vishay, canale N, 140 mΩ, 1,2 A, SC-89-6, Montaggio superficiale

Codice RS:: 159-6520
Codice costruttore:: SI1070X-T1-GE3
Costruttore:: Vishay

MOSFET Vishay, canale N, 140 mΩ, 1,2 A, SC-89-6, Montaggio superficiale

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Codice RS:: 159-6520
Codice costruttore:: SI1070X-T1-GE3
Costruttore:: Vishay

Si1070X, N-Channel 30V (D-S) MOSFET
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	1,2 A
Tensione massima drain source	30 V
Tipo di package	SC-89-6
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	6
Resistenza massima drain source	140 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate minima	0.7V
Dissipazione di potenza massima	236 mW
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-12 V, +12 V
Massima temperatura operativa	+150 °C
Materiale del transistor	Si
Larghezza	1.2mm
Carica gate tipica @ Vgs	3,8 nC a 4,5 V
Numero di elementi per chip	1
Lunghezza	1.7mm
Altezza	0.6mm
Minima temperatura operativa	-55 °C

MOSFET Vishay, canale N, 140 mΩ, 1,2 A, SC-89-6, Montaggio superficiale

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MOSFET canale N, da 30V a 50V, Vishay Semiconductor

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