MOSFET Vishay, canale N, 140 mΩ, 1,2 A, SC-89-6, Montaggio superficiale

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Codice RS:
159-6520
Codice costruttore:
SI1070X-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

N

Corrente massima continuativa di drain

1,2 A

Tensione massima drain source

30 V

Tipo di package

SC-89-6

Tipo di montaggio

Montaggio superficiale

Numero pin

6

Resistenza massima drain source

140 mΩ

Modalità del canale

Enhancement

Tensione di soglia gate minima

0.7V

Dissipazione di potenza massima

236 mW

Configurazione transistor

Singolo

Tensione massima gate source

-12 V, +12 V

Massima temperatura operativa

+150 °C

Numero di elementi per chip

1

Carica gate tipica @ Vgs

3,8 nC a 4,5 V

Larghezza

1.2mm

Lunghezza

1.7mm

Materiale del transistor

Si

Altezza

0.6mm

Minima temperatura operativa

-55 °C

Paese di origine:
PH

MOSFET canale N, da 30V a 50V, Vishay Semiconductor



Transistor MOSFET, Vishay Semiconductor

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