MOSFET Texas Instruments, canale Tipo N 25 V, 34 mΩ Miglioramento, 5 A, 6 Pin, SON, Superficie

Prezzo per 1 bobina da 3000 unità*

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Codice RS:
162-8525
Codice costruttore:
CSD16301Q2
Costruttore:
Texas Instruments
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Marchio

Texas Instruments

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

5A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

25V

Tipo di package

SON

Serie

NexFET

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

6

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

34mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

10 V

Dissipazione di potenza massima Pd

2.3W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

2nC

Tensione diretta Vf

0.8V

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Larghezza

2 mm

Standard/Approvazioni

No

Altezza

0.8mm

Lunghezza

2mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
MY

MOSFET di potenza NexFET™ canale N, Texas Instruments


Transistor MOSFET, Texas Instruments


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