MOSFET Texas Instruments, canale N, 34 mΩ, 5 A, WSON, Montaggio superficiale

Codice RS:: 162-8525
Codice costruttore:: CSD16301Q2
Costruttore:: Texas Instruments

MOSFET Texas Instruments, canale N, 34 mΩ, 5 A, WSON, Montaggio superficiale

Prezzo per Unità (Su Bobina da 3000)**

0,162 €

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Unità	Per unità	Per bobina**
3000 +	0,162 €	486,00 €

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Codice RS:: 162-8525
Codice costruttore:: CSD16301Q2
Costruttore:: Texas Instruments

ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	5 A
Tensione massima drain source	25 V
Serie	NexFET
Tipo di package	WSON
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	6
Resistenza massima drain source	34 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	1.55V
Tensione di soglia gate minima	0.9V
Dissipazione di potenza massima	2,3 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-8 V, +10 V
Carica gate tipica @ Vgs	2 nC a 4,5 V
Lunghezza	2mm
Numero di elementi per chip	1
Larghezza	2mm
Materiale del transistor	Si
Massima temperatura operativa	+150 °C
Altezza	0.8mm
Minima temperatura operativa	-55 °C

MOSFET Texas Instruments, canale N, 34 mΩ, 5 A, WSON, Montaggio superficiale

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MOSFET di potenza NexFET™ canale N, Texas Instruments

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