MOSFET Texas Instruments, canale N 25 V, 3.8 mΩ Miglioramento, 100 A, 8 Pin, SON, Superficie

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Codice RS:
162-8526
Codice costruttore:
CSD16321Q5
Costruttore:
Texas Instruments
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Marchio

Texas Instruments

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

100A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

25V

Tipo di package

SON

Serie

NexFET

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

3.8mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

0.8V

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

3.1W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

-8V, +10V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

14nC

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Altezza

1.05mm

Larghezza

5.1mm

Lunghezza

6.1mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
MY

MOSFET di potenza NexFET™ canale N, Texas Instruments


Transistor MOSFET, Texas Instruments


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