MOSFET Texas Instruments, canale Tipo N 60 V, 8.5 mΩ Miglioramento, 100 A, 8 Pin, SON, Superficie

Prezzo per 1 bobina da 2500 unità*

1617,50 €

(IVA esclusa)

1972,50 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
In magazzino
  • Più 2500 unità in spedizione dal 05 gennaio 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per bobina*
2500 +0,647 €1.617,50 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
162-8556
Codice costruttore:
CSD18533Q5A
Costruttore:
Texas Instruments
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Texas Instruments

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

100A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Serie

NexFET

Tipo di package

SON

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

8.5mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

0.8V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

14nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

3.2W

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

5.8mm

Standard/Approvazioni

No

Altezza

1.1mm

Larghezza

5 mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
MY

MOSFET di potenza NexFET™ canale N, Texas Instruments


Transistor MOSFET, Texas Instruments


Link consigliati