MOSFET onsemi, canale P, 52 mΩ, 6,7 A, ChipFET, Montaggio superficiale

Codice RS:: 163-1113
Codice costruttore:: NTHS4101PT1G
Costruttore:: onsemi

MOSFET onsemi, canale P, 52 mΩ, 6,7 A, ChipFET, Montaggio superficiale

Prezzo per Unità (Su Bobina da 3000)**

0,386 €

(IVA esclusa)

0,471 €

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Unità	Per unità	Per bobina**
3000 +	0,386 €	1.158,00 €

**prezzo indicativo

Codice RS:: 163-1113
Codice costruttore:: NTHS4101PT1G
Costruttore:: onsemi

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	P
Corrente massima continuativa di drain	6,7 A
Tensione massima drain source	20 V
Tipo di package	ChipFET
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	8
Resistenza massima drain source	52 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	1.5V
Dissipazione di potenza massima	2,5 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-8 V, +8 V
Materiale del transistor	Si
Carica gate tipica @ Vgs	25 nC a 4,5 V c.c.
Massima temperatura operativa	+150 °C
Larghezza	1.7mm
Numero di elementi per chip	1
Lunghezza	3.1mm
Altezza	1.1mm
Minima temperatura operativa	-55 °C

MOSFET onsemi, canale P, 52 mΩ, 6,7 A, ChipFET, Montaggio superficiale

Consegna GRATUITA per ordini superiori a € 100,00

MOSFET di potenza a canale P, 20 V, ON Semiconductor

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