MOSFET onsemi, canale Tipo P 20 V, 52 mΩ Miglioramento, 6.7 A, 8 Pin, ChipFET, Superficie NTHS4101PT1G

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Codice RS:
780-0595
Codice costruttore:
NTHS4101PT1G
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo P

Massima corrente di scarico continua Id

6.7A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

20V

Serie

NTK

Tipo di package

ChipFET

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

52mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

25nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

-1.2V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

8 V

Dissipazione di potenza massima Pd

2.5W

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Altezza

1.1mm

Larghezza

1.7 mm

Lunghezza

3.1mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

MOSFET di potenza a canale P, 20 V, ON Semiconductor


Transistor MOSFET, ON Semiconductor


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