MOSFET onsemi, canale P, 170 mΩ, 4,1 A, ChipFET, Montaggio superficiale

Codice RS:: 163-1110
Codice costruttore:: NTHD4102PT1G
Costruttore:: onsemi

MOSFET onsemi, canale P, 170 mΩ, 4,1 A, ChipFET, Montaggio superficiale

Prezzo per Unità (Su Bobina da 3000)**

0,369 €

(IVA esclusa)

0,45 €

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Unità	Per unità	Per bobina**
3000 +	0,369 €	1.107,00 €

**prezzo indicativo

Codice RS:: 163-1110
Codice costruttore:: NTHD4102PT1G
Costruttore:: onsemi

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	P
Corrente massima continuativa di drain	4,1 A
Tensione massima drain source	20 V
Tipo di package	ChipFET
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	8
Resistenza massima drain source	170 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	1.5V
Dissipazione di potenza massima	2,1 W
Configurazione transistor	Isolato
Tensione massima gate source	-8 V, +8 V
Numero di elementi per chip	2
Massima temperatura operativa	+150 °C
Larghezza	1.7mm
Materiale del transistor	Si
Lunghezza	3.1mm
Carica gate tipica @ Vgs	7,6 nC a 4,5 V
Altezza	1.1mm
Minima temperatura operativa	-55 °C

MOSFET onsemi, canale P, 170 mΩ, 4,1 A, ChipFET, Montaggio superficiale

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MOSFET a canale doppio P, ON Semiconductor

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