2 MOSFET di potenza onsemi Tipo isolato, canale Tipo P, 170 mΩ, 4.1 A 20 V, ChipFET, Superficie Miglioramento, 8 Pin

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Codice RS:
163-1110
Codice costruttore:
NTHD4102PT1G
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo di canale

Tipo P

Tipo prodotto

MOSFET di potenza

Massima corrente di scarico continua Id

4.1A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

20V

Tipo di package

ChipFET

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

170mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

150°C

Dissipazione di potenza massima Pd

2.1W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

8 V

Tensione diretta Vf

-0.8V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

7.6nC

Configurazione transistor

Tipo isolato

Temperatura massima di funzionamento

-55°C

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

1.7 mm

Altezza

1.1mm

Lunghezza

3.1mm

Numero elementi per chip

2

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
MY

MOSFET a canale doppio P, ON Semiconductor


Transistor MOSFET, ON Semiconductor


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