MOSFET onsemi, canale N, 126 mΩ, 4,1 A, SOIC, Montaggio superficiale

Codice RS:: 759-9692
Codice costruttore:: FDS86242
Costruttore:: onsemi

MOSFET onsemi, canale N, 126 mΩ, 4,1 A, SOIC, Montaggio superficiale

Sconto per quantità disponibile

Prezzo per 1pz in confezione da 2**

1,015 €

(IVA esclusa)

1,238 €

(IVA inclusa)

Prodotto al momento non disponibile. La consegna avverrà entro 3 giorni lavorativi a partire dal 04/08/2025.*

* Le date di consegna possono variare in base alla quantità selezionata e all'indirizzo di consegna.

Consegna GRATUITA per ordini superiori a € 100,00

Unità	Per unità	Per confezione**
2 - 18	1,015 €	2,03 €
20 - 198	0,875 €	1,75 €
200 - 998	0,76 €	1,52 €
1000 +	0,665 €	1,33 €

**prezzo indicativo

Codice RS:: 759-9692
Codice costruttore:: FDS86242
Costruttore:: onsemi

FDS86242, PowerTrench 150V N-Channel MOSFET
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	4,1 A
Tensione massima drain source	150 V
Tipo di package	SOIC
Serie	PowerTrench
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	8
Resistenza massima drain source	126 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate minima	2V
Dissipazione di potenza massima	5 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Materiale del transistor	Si
Larghezza	5mm
Lunghezza	4mm
Massima temperatura operativa	+150 °C
Numero di elementi per chip	1
Carica gate tipica @ Vgs	8,9 nC a 10 V
Altezza	1.5mm
Minima temperatura operativa	-55 °C

MOSFET onsemi, canale N, 126 mΩ, 4,1 A, SOIC, Montaggio superficiale

Consegna GRATUITA per ordini superiori a € 100,00

MOSFET a canale N PowerTrench® fino a 9,9A, Fairchild Semiconductor

Link consigliati