MOSFET onsemi, canale Tipo N 100 V, 4.1 mΩ Miglioramento, 240 A, 8 Pin, H-PSOF, Superficie

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Prezzo per 1 bobina da 2000 unità*

2520,00 €

(IVA esclusa)

3080,00 €

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2000 +1,26 €2.520,00 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
178-4230
Codice costruttore:
FDBL86066-F085
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

240A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Tipo di package

H-PSOF

Serie

FDBL

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

4.1mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

47nC

Dissipazione di potenza massima Pd

300W

Tensione diretta Vf

1.25V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Altezza

2.4mm

Lunghezza

9.9mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

AEC-Q101

Paese di origine:
PH
Caratteristiche

Tipico RDS(on) = 3,3 mΩ a VGS = 10 V, ID = 80 A

Tipico Qg(tot) = 47 nC a VGS = 10 V, ID = 80 A

Funzionalità UIS

Applicazioni

Controllo motori nel settore automobilistico

Gestione della trasmissione

Solenoide e azionamenti per motori

Servosterzo elettronico

Motorino di avviamento/alternatore integrato

Architetture di alimentazione distribuita e VRM

Interruttore principale per sistemi a 12 V

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