MOSFET onsemi, canale Tipo N 650 V, 50 mΩ Miglioramento, 49 A, 8 Pin, H-PSOF, Superficie

Visualizza MOSFET
Scorte limitate
A causa di una carenza di approvvigionamento a livello mondiale, non sappiamo quando questo prodotto sarà di nuovo disponibile.
Codice RS:
221-6705
Codice costruttore:
NTBL050N65S3H
Costruttore:
onsemi
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

onsemi

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

49A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

650V

Serie

NTBL050N65S

Tipo di package

H-PSOF

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

50mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

305W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

98nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

30 V

Tensione diretta Vf

1.2V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

2.4 mm

Altezza

11.47mm

Lunghezza

10.8mm

Standard automobilistico

No

Il MOSFET SUPERFET III on Semiconductor è dotato di famiglia MOSFET a super giunzione (SJ) ad alta tensione che utilizza la tecnologia di bilanciamento della carica per un'eccezionale bassa resistenza in stato attivo−−e prestazioni di carica di gate inferiori. Questa tecnologia Advanced è personalizzata per ridurre la perdita di conduzione, fornisce eccellenti prestazioni di commutazione e resiste a estreme velocità dv/dt.

Carica di gate ultra bassa

Bassa capacità di uscita effettiva 909 pF

Testato con effetto valanga al 100%

Link consigliati