MOSFET onsemi, canale Tipo N 80 V, 1.7 mΩ N, 241.3 A, 8 Pin, H-PSOF, Superficie

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Codice RS:
229-6502
Codice costruttore:
NVBLS1D7N08H
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

241.3A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

80V

Tipo di package

H-PSOF

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

1.7mΩ

Modalità canale

N

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Tensione diretta Vf

1.2V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

121nC

Dissipazione di potenza massima Pd

237.5W

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Altezza

13.28mm

Lunghezza

10.2mm

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

2.4 mm

Standard automobilistico

No

Il MOSFET di potenza per uso automobilistico on Semiconductor in un contenitore A PEDAGGIO per progetti efficienti con elevate prestazioni termiche. Ha una corrente di drain di 241,3 A.

Riduce al minimo le perdite di conduzione

Ridurre al minimo le perdite di driver

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