MOSFET onsemi, canale Tipo N 80 V, 1.7 mΩ N, 241.3 A, 8 Pin, H-PSOF, Superficie

Visualizza MOSFET

Prezzo per 1 bobina da 2000 unità*

4846,00 €

(IVA esclusa)

5912,00 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Temporaneamente esaurito
  • Spedizione a partire dal 18 maggio 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per bobina*
2000 +2,423 €4.846,00 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
229-6502
Codice costruttore:
NVBLS1D7N08H
Costruttore:
onsemi
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

onsemi

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

241.3A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

80V

Tipo di package

H-PSOF

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

1.7mΩ

Modalità canale

N

Tensione diretta Vf

1.2V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

121nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

237.5W

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Altezza

13.28mm

Lunghezza

10.2mm

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

2.4 mm

Standard automobilistico

No

Il MOSFET di potenza per uso automobilistico on Semiconductor in un contenitore A PEDAGGIO per progetti efficienti con elevate prestazioni termiche. Ha una corrente di drain di 241,3 A.

Riduce al minimo le perdite di conduzione

Ridurre al minimo le perdite di driver

Bassa resistenza in stato attivo

Link consigliati