MOSFET onsemi, canale Tipo N 80 V, 1.7 mΩ N, 241.3 A, 8 Pin, H-PSOF, Superficie NVBLS1D7N08H
- Codice RS:
- 229-6503
- Codice costruttore:
- NVBLS1D7N08H
- Costruttore:
- onsemi
Sconto per quantità disponibile
Prezzo per 1 confezione da 2 unità*
9,24 €
(IVA esclusa)
11,28 €
(IVA inclusa)
Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €
Temporaneamente esaurito
- Spedizione a partire dal 11 maggio 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità | Per unità | Per confezione* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 4,62 € | 9,24 € |
| 20 - 198 | 3,985 € | 7,97 € |
| 200 - 998 | 3,45 € | 6,90 € |
| 1000 + | 3,035 € | 6,07 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 229-6503
- Codice costruttore:
- NVBLS1D7N08H
- Costruttore:
- onsemi
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | onsemi | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 241.3A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 80V | |
| Tipo di package | H-PSOF | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 1.7mΩ | |
| Modalità canale | N | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 237.5W | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20 V | |
| Tensione diretta Vf | 1.2V | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 121nC | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Lunghezza | 10.2mm | |
| Larghezza | 2.4 mm | |
| Altezza | 13.28mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio onsemi | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 241.3A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 80V | ||
Tipo di package H-PSOF | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 1.7mΩ | ||
Modalità canale N | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 237.5W | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20 V | ||
Tensione diretta Vf 1.2V | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 121nC | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Lunghezza 10.2mm | ||
Larghezza 2.4 mm | ||
Altezza 13.28mm | ||
Standard automobilistico No | ||
Il MOSFET di potenza per uso automobilistico on Semiconductor in un contenitore A PEDAGGIO per progetti efficienti con elevate prestazioni termiche. Ha una corrente di drain di 241,3 A.
Riduce al minimo le perdite di conduzione
Ridurre al minimo le perdite di driver
Bassa resistenza in stato attivo
Link consigliati
- MOSFET onsemi 0 241 H-PSOF8L, Montaggio superficiale
- MOSFET onsemi 0.75 Ω H-PSOF8L, Montaggio superficiale
- MOSFET onsemi 0 40 A Montaggio superficiale
- MOSFET onsemi 0 49 A Montaggio superficiale
- MOSFET onsemi 77 A Montaggio superficiale
- MOSFET onsemi 4 187 A, H-PSOF8L
- MOSFET onsemi 37 A Montaggio superficiale
- MOSFET onsemi 46 A Montaggio superficiale
