MOSFET onsemi, canale N 80 V, 1.7 mΩ N, 203 A, 8 Pin, M0-299A, Superficie NTBLS1D7N08H

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
229-6448
Codice costruttore:
NTBLS1D7N08H
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

N

Massima corrente di scarico continua Id

203A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

80V

Tipo di package

M0-299A

Serie

NBTLS

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

1.7mΩ

Modalità canale

N

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

121nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

167W

Tensione diretta Vf

1.2V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Lunghezza

11.78mm

Standard/Approvazioni

No

Altezza

9.9mm

Larghezza

2.4mm

Standard automobilistico

No

Il MOSFET di potenza a canale N on Semiconductor è dotato di bassa resistenza in stato attivo e bassa carica di gate. Ha 203 A di corrente di drain. È utilizzato in utensili elettrici, aspiratori a batteria, UAV/droni, movimentazione di materiali, BMS/stoccaggio e automazione domestica.

Riduce al minimo le perdite di conduzione

Ridurre al minimo le perdite di driver

Basso rumore di commutazione/livello di EMI

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