MOSFET onsemi, canale Tipo N 100 V, 4.1 mΩ Miglioramento, 203 A, 7 Pin, TO-263, Superficie NTBGS004N10G

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
229-6446
Codice costruttore:
NTBGS004N10G
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

203A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Serie

SiC Power

Tipo di package

TO-263

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

7

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

4.1mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

178nC

Dissipazione di potenza massima Pd

240W

Tensione diretta Vf

1.2V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Lunghezza

10.2mm

Altezza

9.4mm

Larghezza

4.7 mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Il MOSFET di potenza on Semiconductor è dotato di una tecnologia robusta per la massima affidabilità. È stato progettato appositamente per applicazioni SOA di grandi dimensioni da un bus 48V.

Tolleranza hot swap con curva SOA superiore

Conforme ROHS

Riduce la perdita di conduzione

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