MOSFET onsemi, canale Tipo N 100 V, 4.1 mΩ Miglioramento, 203 A, 7 Pin, TO-263, Superficie
- Codice RS:
- 229-6445
- Codice costruttore:
- NTBGS004N10G
- Costruttore:
- onsemi
Prezzo per 1 bobina da 800 unità*
2402,40 €
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Unità | Per unità | Per bobina* |
|---|---|---|
| 800 + | 3,003 € | 2.402,40 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 229-6445
- Codice costruttore:
- NTBGS004N10G
- Costruttore:
- onsemi
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | onsemi | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 203A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 100V | |
| Serie | SiC Power | |
| Tipo di package | TO-263 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 7 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 4.1mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 178nC | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20 V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 240W | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione diretta Vf | 1.2V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Larghezza | 4.7 mm | |
| Lunghezza | 10.2mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Altezza | 9.4mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio onsemi | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 203A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 100V | ||
Serie SiC Power | ||
Tipo di package TO-263 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 7 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 4.1mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 178nC | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20 V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 240W | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione diretta Vf 1.2V | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Larghezza 4.7 mm | ||
Lunghezza 10.2mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Altezza 9.4mm | ||
Standard automobilistico No | ||
Il MOSFET di potenza on Semiconductor è dotato di una tecnologia robusta per la massima affidabilità. È stato progettato appositamente per applicazioni SOA di grandi dimensioni da un bus 48V.
Tolleranza hot swap con curva SOA superiore
Conforme ROHS
Riduce la perdita di conduzione
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