MOSFET onsemi, canale Tipo N 100 V, 4.1 mΩ Miglioramento, 203 A, 7 Pin, TO-263, Superficie

Prezzo per 1 bobina da 800 unità*

2563,20 €

(IVA esclusa)

3127,20 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Temporaneamente esaurito
  • Spedizione a partire dal 31 dicembre 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per bobina*
800 +3,204 €2.563,20 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
229-6445
Codice costruttore:
NTBGS004N10G
Costruttore:
onsemi
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

onsemi

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

203A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Serie

SiC Power

Tipo di package

TO-263

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

7

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

4.1mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

240W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

178nC

Tensione diretta Vf

1.2V

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Lunghezza

10.2mm

Altezza

9.4mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Il MOSFET di potenza on Semiconductor è dotato di una tecnologia robusta per la massima affidabilità. È stato progettato appositamente per applicazioni SOA di grandi dimensioni da un bus 48V.

Tolleranza hot swap con curva SOA superiore

Conforme ROHS

Riduce la perdita di conduzione

Link consigliati

Rimani aggiornato sulle novità di prodotto e sulle nostre offerte!

Indirizzo email

I dati personali forniti saranno trattati in linea con la nostra Politica sulla Privacy.