MOSFET onsemi, canale Tipo N 100 V, 4.1 mΩ Miglioramento, 203 A, 7 Pin, TO-263, Superficie

Prezzo per 1 bobina da 800 unità*

2402,40 €

(IVA esclusa)

2931,20 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Temporaneamente esaurito
  • Spedizione a partire dal 15 giugno 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per bobina*
800 +3,003 €2.402,40 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
229-6445
Codice costruttore:
NTBGS004N10G
Costruttore:
onsemi
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

onsemi

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

203A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Serie

SiC Power

Tipo di package

TO-263

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

7

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

4.1mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

178nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

240W

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1.2V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Larghezza

4.7 mm

Lunghezza

10.2mm

Standard/Approvazioni

No

Altezza

9.4mm

Standard automobilistico

No

Il MOSFET di potenza on Semiconductor è dotato di una tecnologia robusta per la massima affidabilità. È stato progettato appositamente per applicazioni SOA di grandi dimensioni da un bus 48V.

Tolleranza hot swap con curva SOA superiore

Conforme ROHS

Riduce la perdita di conduzione

Link consigliati