MOSFET di potenza STMicroelectronics, canale N 40 V, 1.7 mΩ, 203 A, 8 Pin, PowerFLAT, Superficie STL220N4F8
- Codice RS:
- 330-245
- Codice costruttore:
- STL220N4F8
- Costruttore:
- STMicroelectronics
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- Codice RS:
- 330-245
- Codice costruttore:
- STL220N4F8
- Costruttore:
- STMicroelectronics
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | STMicroelectronics | |
| Tipo prodotto | MOSFET di potenza | |
| Tipo di canale | N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 203A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 40V | |
| Tipo di package | PowerFLAT | |
| Serie | STL | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 1.7mΩ | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 42.5nC | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 127W | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Lunghezza | 6mm | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Altezza | 1mm | |
| Larghezza | 4.9mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio STMicroelectronics | ||
Tipo prodotto MOSFET di potenza | ||
Tipo di canale N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 203A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 40V | ||
Tipo di package PowerFLAT | ||
Serie STL | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 1.7mΩ | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 42.5nC | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 127W | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Lunghezza 6mm | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Altezza 1mm | ||
Larghezza 4.9mm | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- CN
Il MOSFET di potenza STMicroelectronics è un MOSFET di potenza a 40 V a canale N in modalità enhancement, progettato in tecnologia Strip FET F8 con una struttura di gate a trincea migliorata. Garantisce una figura di merito all'avanguardia per una resistenza on-state molto bassa, riducendo al contempo le capacità interne e la carica di gate per una commutazione più rapida ed efficiente.
Grado MSL1
175°C temperatura massima di giunzione operativa
Valanga testata al 100%
Bassa carica di gate Qg
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