MOSFET onsemi, canale N 650 V, 50 mΩ Miglioramento, 49 A, 8 Pin, H-PSOF, Superficie NTBL050N65S3H

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
221-6706
Codice costruttore:
NTBL050N65S3H
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

N

Massima corrente di scarico continua Id

49A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

650V

Tipo di package

H-PSOF

Serie

NTBL050N65S

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

50mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

98nC

Dissipazione di potenza massima Pd

305W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

30V

Tensione diretta Vf

1.2V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

2.4mm

Lunghezza

10.8mm

Altezza

11.47mm

Standard automobilistico

No

Il MOSFET SUPERFET III on Semiconductor è dotato di famiglia MOSFET a super giunzione (SJ) ad alta tensione che utilizza la tecnologia di bilanciamento della carica per un'eccezionale bassa resistenza in stato attivo−−e prestazioni di carica di gate inferiori. Questa tecnologia Advanced è personalizzata per ridurre la perdita di conduzione, fornisce eccellenti prestazioni di commutazione e resiste a estreme velocità dv/dt.

Carica di gate ultra bassa

Bassa capacità di uscita effettiva 909 pF

Testato con effetto valanga al 100%

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