MOSFET onsemi, canale N 650 V, 50 mΩ Miglioramento, 49 A, 8 Pin, H-PSOF, Superficie NTBL050N65S3H

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
221-6706
Codice costruttore:
NTBL050N65S3H
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

49A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

650V

Serie

NTBL050N65S

Tipo di package

H-PSOF

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

50mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

1.2V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

30V

Dissipazione di potenza massima Pd

305W

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

98nC

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

10.8mm

Altezza

11.47mm

Larghezza

2.4mm

Standard automobilistico

No

Il MOSFET SUPERFET III on Semiconductor è dotato di famiglia MOSFET a super giunzione (SJ) ad alta tensione che utilizza la tecnologia di bilanciamento della carica per un'eccezionale bassa resistenza in stato attivo−−e prestazioni di carica di gate inferiori. Questa tecnologia Advanced è personalizzata per ridurre la perdita di conduzione, fornisce eccellenti prestazioni di commutazione e resiste a estreme velocità dv/dt.

Carica di gate ultra bassa

Bassa capacità di uscita effettiva 909 pF

Testato con effetto valanga al 100%

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