MOSFET onsemi, canale Tipo N 25 V, 5.3 mΩ Miglioramento, 126 A, 8 Pin, PQFN-8, Superficie NTTFD1D8N02P1E
- Codice RS:
- 333-403
- Codice costruttore:
- NTTFD1D8N02P1E
- Costruttore:
- onsemi
Sconto per quantità disponibile
Prezzo per 1 nastro da 5 unità*
10,07 €
(IVA esclusa)
12,285 €
(IVA inclusa)
Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €
In magazzino
- Più 3000 unità in spedizione dal 05 gennaio 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità | Per unità | Per Nastro* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 2,014 € | 10,07 € |
| 50 - 95 | 1,91 € | 9,55 € |
| 100 - 495 | 1,768 € | 8,84 € |
| 500 - 995 | 1,63 € | 8,15 € |
| 1000 + | 1,568 € | 7,84 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 333-403
- Codice costruttore:
- NTTFD1D8N02P1E
- Costruttore:
- onsemi
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | onsemi | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 126A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 25V | |
| Tipo di package | PQFN-8 | |
| Serie | PowerTrench Power Clip | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 5.3mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Tensione diretta Vf | 1.2V | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 37.5nC | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 36W | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 16 V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Lunghezza | 3.3mm | |
| Larghezza | 3.3 mm | |
| Standard/Approvazioni | RoHS, Pb-Free | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio onsemi | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 126A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 25V | ||
Tipo di package PQFN-8 | ||
Serie PowerTrench Power Clip | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 5.3mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Tensione diretta Vf 1.2V | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 37.5nC | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 36W | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 16 V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Lunghezza 3.3mm | ||
Larghezza 3.3 mm | ||
Standard/Approvazioni RoHS, Pb-Free | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- PH
Il MOSFET di potenza di ON Semiconductor è ottimizzato per applicazioni a bassa tensione e offre un'elevata efficienza e perdite di conduzione minime. Con il suo pacchetto DSC-6, offre eccellenti prestazioni termiche e vantaggi di risparmio di spazio per i moderni progetti elettronici. Questo dispositivo garantisce un funzionamento affidabile con una bassa R DS(on) e una robusta gestione della corrente.
Ingombro ridotto per un design compatto
QG e capacità elettrica ridotte per minimizzare le perdite del driver
Senza Pb
Conforme alla direttiva RoHS
Link consigliati
- MOSFET onsemi 50 mΩ Miglioramento 8 Pin Superficie
- MOSFET onsemi 50 mΩ Miglioramento 8 Pin Superficie FDS9435A
- MOSFET onsemi 103 mΩ Miglioramento 8 Pin Superficie
- MOSFET onsemi 103 mΩ Miglioramento 8 Pin Superficie FDMS2572
- MOSFET onsemi 126 mΩ Miglioramento 8 Pin Superficie
- MOSFET onsemi 31 mΩ Miglioramento 8 Pin Superficie
- MOSFET onsemi 6 mΩ Miglioramento 8 Pin Superficie
- MOSFET onsemi 2.3 mΩ Miglioramento 8 Pin Superficie