MOSFET onsemi, canale Tipo N 25 V, 5.3 mΩ Miglioramento, 126 A, 8 Pin, PQFN-8, Superficie NTTFD1D8N02P1E

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
333-403
Codice costruttore:
NTTFD1D8N02P1E
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

126A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

25V

Serie

PowerTrench Power Clip

Tipo di package

PQFN-8

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

5.3mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

37.5nC

Dissipazione di potenza massima Pd

36W

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1.2V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

3.3mm

Standard/Approvazioni

RoHS, Pb-Free

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
PH
Il MOSFET di potenza di ON Semiconductor è ottimizzato per applicazioni a bassa tensione e offre un'elevata efficienza e perdite di conduzione minime. Con il suo pacchetto DSC-6, offre eccellenti prestazioni termiche e vantaggi di risparmio di spazio per i moderni progetti elettronici. Questo dispositivo garantisce un funzionamento affidabile con una bassa R DS(on) e una robusta gestione della corrente.

Ingombro ridotto per un design compatto

QG e capacità elettrica ridotte per minimizzare le perdite del driver

Senza Pb

Conforme alla direttiva RoHS

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