MOSFET onsemi, canale Tipo N 20 V, 130 mΩ Miglioramento, 750 mA, 3 Pin, SOT-23, Superficie
- Codice RS:
- 163-2191
- Codice costruttore:
- MGSF1N02LT1G
- Costruttore:
- onsemi
Prezzo per 1 bobina da 3000 unità*
303,00 €
(IVA esclusa)
369,00 €
(IVA inclusa)
Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €
Temporaneamente esaurito
- Spedizione a partire dal 11 maggio 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità | Per unità | Per bobina* |
|---|---|---|
| 3000 + | 0,101 € | 303,00 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 163-2191
- Codice costruttore:
- MGSF1N02LT1G
- Costruttore:
- onsemi
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | onsemi | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 750mA | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 20V | |
| Tipo di package | SOT-23 | |
| Serie | MGSF1 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 130mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20 V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 203nC | |
| Tensione diretta Vf | 1.5V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 400mW | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Altezza | 1.01mm | |
| Larghezza | 1.4 mm | |
| Lunghezza | 3.04mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio onsemi | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 750mA | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 20V | ||
Tipo di package SOT-23 | ||
Serie MGSF1 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 130mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20 V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 203nC | ||
Tensione diretta Vf 1.5V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 400mW | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Altezza 1.01mm | ||
Larghezza 1.4 mm | ||
Lunghezza 3.04mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- CN
MOSFET di potenza a canale N, 20 V, ON Semiconductor
Transistor MOSFET, ON Semiconductor
Link consigliati
- MOSFET onsemi 130 mΩ SOT-23, Montaggio superficiale
- MOSFET onsemi P 270 mΩ9 A7 A Montaggio superficiale
- MOSFET onsemi 400 mΩ SOT-363, Montaggio superficiale
- MOSFET onsemi 273 mΩ3 A Montaggio superficiale
- MOSFET onsemi 481 mΩ6 A Montaggio superficiale
- MOSFET onsemi 183 mΩ7 A Montaggio superficiale
- MOSFET onsemi 110 mΩ4 A Montaggio superficiale
- MOSFET onsemi 39 mΩ1 A Montaggio superficiale
