MOSFET onsemi, canale Tipo P 50 V, 10 Ω Miglioramento, 130 mA, 3 Pin, SOT-23, Superficie BVSS84LT1G

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
184-4729
Codice costruttore:
BVSS84LT1G
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo P

Massima corrente di scarico continua Id

130mA

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

50V

Tipo di package

SOT-23

Serie

BVSS8L

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

10Ω

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

225mW

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

2.2nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Altezza

1.01mm

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

1.4 mm

Lunghezza

3.04mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

Paese di origine:
CN
MOSFET di potenza per auto ideale per applicazioni a basso consumo. -50V -130mA 10 Ohm Livello logico SOT-23 a canale P singolo. Compatibile PPAP per applicazioni nel settore automobilistico.

Qualifica AEC

Capacità PPAP

Il pacchetto miniaturizzato SOT-23 misura superficie risparmia spazio sulla scheda

MOSFET per auto

Applicazioni

Convertitori cc-cc

Commutazione dei carichi

Gestione dell'alimentazione in prodotti portatili e alimentati a batteria come computer, stampanti, telefoni cellulari e cordless

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