MOSFET onsemi, canale N, 80 mΩ, 3,2 A, SOT-23, Montaggio superficiale

Codice RS:: 163-2690
Codice costruttore:: NTR4501NT1G
Costruttore:: onsemi

MOSFET onsemi, canale N, 80 mΩ, 3,2 A, SOT-23, Montaggio superficiale

Prezzo per Unità (Su Bobina da 3000)**

0,079 €

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Unità	Per unità	Per bobina**
3000 +	0,079 €	237,00 €

**prezzo indicativo

Codice RS:: 163-2690
Codice costruttore:: NTR4501NT1G
Costruttore:: onsemi

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	3,2 A
Tensione massima drain source	20 V
Tipo di package	SOT-23
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	80 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	1.2V
Dissipazione di potenza massima	1,25 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-12 V, +12 V
Larghezza	1.3mm
Numero di elementi per chip	1
Massima temperatura operativa	+150 °C
Lunghezza	2.9mm
Materiale del transistor	Si
Carica gate tipica @ Vgs	2,4 nC a 4,5 V
Minima temperatura operativa	-55 °C
Altezza	0.94mm

MOSFET onsemi, canale N, 80 mΩ, 3,2 A, SOT-23, Montaggio superficiale

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MOSFET di potenza a canale N, 20 V, ON Semiconductor

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