Codice costruttore

MOSFET onsemi, canale Tipo N 80 V, 141 mΩ Miglioramento, 3 A, 6 Pin, SOT-23, Superficie FDC3512

Codice RS:: 759-9011
Codice costruttore:: FDC3512
Costruttore:: onsemi

MOSFET onsemi, canale Tipo N 80 V, 141 mΩ Miglioramento, 3 A, 6 Pin, SOT-23, Superficie FDC3512

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Codice RS:: 759-9011
Codice costruttore:: FDC3512
Costruttore:: onsemi

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Dettagli prodotto

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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	onsemi
	Tipo prodotto	MOSFET
	Tipo di canale	Tipo N
	Massima corrente di scarico continua Id	3A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	80V
	Serie	PowerTrench
	Tipo di package	SOT-23
	Tipo montaggio	Superficie
	Numero pin	6
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	141mΩ
	Modalità canale	Miglioramento
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	13nC
	Dissipazione di potenza massima Pd	1.6W
	Tensione diretta Vf	0.8V
	Temperatura massima di funzionamento	150°C
	Altezza	1mm
	Lunghezza	3mm
	Standard/Approvazioni	No
	Standard automobilistico	No

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	Marchio onsemi
	Tipo prodotto MOSFET
	Tipo di canale Tipo N
	Massima corrente di scarico continua Id 3A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 80V
	Serie PowerTrench
	Tipo di package SOT-23
	Tipo montaggio Superficie
	Numero pin 6
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 141mΩ
	Modalità canale Miglioramento
	Minima temperatura operativa -55°C
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 13nC
	Dissipazione di potenza massima Pd 1.6W
	Tensione diretta Vf 0.8V
	Temperatura massima di funzionamento 150°C
	Altezza 1mm
	Lunghezza 3mm
	Standard/Approvazioni No
	Standard automobilistico No

MOSFET a canale N PowerTrench® fino a 9,9A, Fairchild Semiconductor

Transistor MOSFET, ON Semi

Su Semi offre una gamma sostanziale di dispositivi MOSFET che includono>< i tipi ad alta tensione ( 250V) e a bassa tensione ( 250V). L'avanzata tecnologia al silicio garantisce uno stampo dalle dimensioni ridotte, incorporato in diversi contenitori di standard industriale e termicamente potenziati.

Sui semi-MOSFET è possibile ottenere un'affidabilità di progettazione superiore, da picchi di tensione ridotti e sovraelongazione, a una capacità di giunzione inferiore e una carica di recupero inversa, fino all'eliminazione di componenti esterni aggiuntivi per mantenere i sistemi operativi più a lungo.

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