Codice costruttore

MOSFET onsemi, canale Tipo N 80 V, 141 mΩ Miglioramento, 3 A, 6 Pin, SOT-23, Superficie FDC3512

Codice RS:: 759-9011
Codice costruttore:: FDC3512
Costruttore:: onsemi

MOSFET onsemi, canale Tipo N 80 V, 141 mΩ Miglioramento, 3 A, 6 Pin, SOT-23, Superficie FDC3512

Sconto per quantità disponibile

Visualizza le opzioni di prezzo per quantità

Prezzo per 1 confezione da 5 unità*

6,90 €

(IVA esclusa)

8,40 €

(IVA inclusa)

Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €

In magazzino

Più 2665 unità in spedizione dal 31 agosto 2026

Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".

Unità	Per unità	Per confezione*
5 - 45	1,38 €	6,90 €
50 - 95	1,188 €	5,94 €
100 - 495	1,032 €	5,16 €
500 - 995	0,908 €	4,54 €
1000 +	0,826 €	4,13 €

*prezzo indicativo

Codice RS:: 759-9011
Codice costruttore:: FDC3512
Costruttore:: onsemi

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.

Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	onsemi
	Tipo prodotto	MOSFET
	Tipo di canale	Tipo N
	Massima corrente di scarico continua Id	3A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	80V
	Tipo di package	SOT-23
	Serie	PowerTrench
	Tipo montaggio	Superficie
	Numero pin	6
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	141mΩ
	Modalità canale	Miglioramento
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	13nC
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Dissipazione di potenza massima Pd	1.6W
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs	20V
	Tensione diretta Vf	0.8V
	Temperatura massima di funzionamento	150°C
	Larghezza	1.7mm
	Standard/Approvazioni	No
	Altezza	1mm
	Lunghezza	3mm
	Standard automobilistico	No

	Seleziona tutto
	Marchio onsemi
	Tipo prodotto MOSFET
	Tipo di canale Tipo N
	Massima corrente di scarico continua Id 3A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 80V
	Tipo di package SOT-23
	Serie PowerTrench
	Tipo montaggio Superficie
	Numero pin 6
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 141mΩ
	Modalità canale Miglioramento
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 13nC
	Minima temperatura operativa -55°C
	Dissipazione di potenza massima Pd 1.6W
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V
	Tensione diretta Vf 0.8V
	Temperatura massima di funzionamento 150°C
	Larghezza 1.7mm
	Standard/Approvazioni No
	Altezza 1mm
	Lunghezza 3mm
	Standard automobilistico No

MOSFET a canale N PowerTrench® fino a 9,9A, Fairchild Semiconductor

Transistor MOSFET, ON Semi

Su Semi offre una gamma sostanziale di dispositivi MOSFET che includono>< i tipi ad alta tensione ( 250V) e a bassa tensione ( 250V). L'avanzata tecnologia al silicio garantisce uno stampo dalle dimensioni ridotte, incorporato in diversi contenitori di standard industriale e termicamente potenziati.

Sui semi-MOSFET è possibile ottenere un'affidabilità di progettazione superiore, da picchi di tensione ridotti e sovraelongazione, a una capacità di giunzione inferiore e una carica di recupero inversa, fino all'eliminazione di componenti esterni aggiuntivi per mantenere i sistemi operativi più a lungo.

Link consigliati

Rimani aggiornato sulle novità di prodotto e sulle nostre offerte!

Indirizzo email

I dati personali forniti saranno trattati in linea con la nostra Politica sulla Privacy.