MOSFET STMicroelectronics, canale Tipo N 650 V, 150 mΩ Miglioramento, 22 A, 3 Pin, I2PAK, Foro passante

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Codice RS:
164-6960
Codice costruttore:
STI28N60M2
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

22A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

650V

Tipo di package

I2PAK

Serie

STI28

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

150mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

170W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

36nC

Tensione diretta Vf

1.6V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Altezza

9.3mm

Lunghezza

10.4mm

Standard automobilistico

No

Questi dispositivi sono MOSFET di potenza a canale N sviluppati con la tecnologia MDmesh™ M2. Grazie al layout e alla struttura verticale migliorata, questi dispositivi presentano una bassa resistenza in stato attivo e caratteristiche di commutazione ottimizzate, che li rendono adatti ai convertitori ad alta efficienza più impegnativi.

Carica di gate estremamente bassa

Profilo con eccellente capacità di uscita (COSS)

Testato con effetto valanga al 100%

Protezione Zener

Qg estremamente basso per una maggiore efficienza

Carica di gate e profili di capacità ottimizzati per gli alimentatori risonanti (convertitori LLC)

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