MOSFET Infineon, canale Tipo N 40 V, 750 μΩ Miglioramento, 522 A, 6 Pin, TO-263, Superficie

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Codice RS:
165-5324
Codice costruttore:
IRFS7430TRL7PP
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

522A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

40V

Serie

HEXFET

Tipo di package

TO-263

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

6

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

750μΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

0.8V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

305nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

375W

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Lunghezza

10.67mm

Standard/Approvazioni

No

Altezza

4.83mm

Larghezza

9.65 mm

Standard automobilistico

No

Non applicabile

Paese di origine:
MX

MOSFET di potenza a canale N da 40 V, Infineon


La gamma Infineon di MOSFET di potenza singoli HEXFET® comprende dispositivi a canale N con montaggio superficiale, terminali e fattori di forma adatti a quasi tutti i layout di scheda e alle sfide della progettazione termica. Il valore di riferimento della resistenza su tutta la gamma riduce le perdite di conduzione, consentendo ai progettisti di ottenere un rendimento ottimale del sistema.

Transistor MOSFET, Infineon


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