MOSFET Infineon, canale N, 750 μΩ, 522 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale

Codice RS:: 872-4202
Codice costruttore:: IRFS7430TRL7PP
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale N, 750 μΩ, 522 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale

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Codice RS:: 872-4202
Codice costruttore:: IRFS7430TRL7PP
Costruttore:: Infineon

MOSFET N-Channel 40V 522A D2PAK-6
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	522 A
Tensione massima drain source	40 V
Tipo di package	D2PAK (TO-263)
Serie	HEXFET
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	6
Resistenza massima drain source	750 μΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	3.9V
Tensione di soglia gate minima	2.2V
Dissipazione di potenza massima	375 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Materiale del transistor	Si
Massima temperatura operativa	+175 °C
Lunghezza	10.67mm
Numero di elementi per chip	1
Carica gate tipica @ Vgs	305 nC a 10 V
Larghezza	9.65mm
Minima temperatura operativa	-55 °C
Tensione diretta del diodo	1.2V
Altezza	4.83mm

MOSFET Infineon, canale N, 750 μΩ, 522 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale

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MOSFET di potenza a canale N da 40 V, Infineon

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