MOSFET Infineon, canale Tipo N 40 V, 0.75 mΩ Miglioramento, 522 A, 7 Pin, TO-263, Superficie

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Codice RS:
215-2453
Codice costruttore:
AUIRFS8409-7TRL
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

522A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

40V

Tipo di package

TO-263

Serie

HEXFET

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

7

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.75mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Tensione diretta Vf

1.2V

Dissipazione di potenza massima Pd

375W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

305nC

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Il MOSFET di potenza DirectFET® per uso automobilistico Infineon è dotato di una tensione di sorgente di drain massima di 60V con corrente di drain continua massima di 68A in un contenitore D2-Pak 7pin. Progettato specificamente per le applicazioni automobilistiche, questo MOSFET di potenza HEXFET utilizza le più recenti tecniche di elaborazione per ottenere un'area di silicio par a resistenza estremamente bassa. Caratteristiche aggiuntive di questi progetti sono la temperatura d'esercizio della giunzione di 175 °C, la velocità di commutazione rapida e il valore nominale dell'effetto valanga migliorato. Questa caratteristica combinata rende questo prodotto un dispositivo estremamente efficiente e affidabile per l'uso nel settore automobilistico e in un'ampia varietà di altre applicazioni.

Avanzata tecnologia di processo

Nuova resistenza ultra bassa in stato attivo

Commutazione rapida

Effetto valanga ripetitivo consentito fino a Tjmax

Senza piombo

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