MOSFET Infineon, canale Tipo N 150 V, 11.8 mΩ Miglioramento, 105 A, 7 Pin, TO-263, Superficie AUIRFS4115-7TRL

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
214-8959
Codice costruttore:
AUIRFS4115-7TRL
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

105A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

150V

Tipo di package

TO-263

Serie

HEXFET

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

7

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

11.8mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

73nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

380W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Tensione diretta Vf

1.3V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Altezza

4.83mm

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

9.65 mm

Lunghezza

10.54mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

I MOSFET di potenza Infineon HEXFET utilizzano le più recenti tecniche di elaborazione per ottenere una resistenza estremamente bassa all'accensione per area di silicio. Caratteristiche aggiuntive di questo design sono la temperatura d'esercizio della giunzione a 175 °C, la velocità di commutazione rapida e il valore nominale dell'effetto valanga ripetitivo migliorato. Queste caratteristiche si combinano per rendere questo design un dispositivo estremamente efficiente e affidabile per l'uso in applicazioni automobilistiche e un'ampia varietà di altre applicazioni.

Avanzata tecnologia di processo

Resistenza ultra bassa in stato attivo

Qualificato per il settore automobilistico

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